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產(chǎn)品資料
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超聲波洗槽應(yīng)用小流量超純水循環(huán)純水裝置

產(chǎn)品名稱: 超聲波洗槽應(yīng)用小流量超純水循環(huán)純水裝置
產(chǎn)品型號(hào): KCP-4006LK
產(chǎn)品特點(diǎn): 超聲波洗槽應(yīng)用小流量超純水循環(huán)純水裝置
日本 Reiken(冷研)KCP-4006LK 是一臺(tái)“高精度控制、高操作性"的純水循環(huán)裝置,專為潔凈室、實(shí)驗(yàn)室、超聲波洗槽、CMP、顯影等需要18 MΩ·cm 超純水且24 h 不間斷的場(chǎng)景設(shè)計(jì)。設(shè)備把RO + 離子交換 + 0.1 µm 終端過濾 + 在線 TOC 監(jiān)測(cè)集成到 0.25 m² 占地,出水電阻率 18.2 MΩ·cm @ 25 °C,TOC

超聲波洗槽應(yīng)用小流量超純水循環(huán)純水裝置 的詳細(xì)介紹

超聲波洗槽應(yīng)用小流量超純水循環(huán)純水裝置

超聲波洗槽應(yīng)用小流量超純水循環(huán)純水裝置

日本 Reiken(冷研)KCP-4006LK 是一臺(tái)“高精度控制、高操作性"的純水循環(huán)裝置,專為潔凈室、實(shí)驗(yàn)室、超聲波洗槽、CMP、顯影等需要18 MΩ·cm 超純水24 h 不間斷的場(chǎng)景設(shè)計(jì)。設(shè)備把RO + 離子交換 + 0.1 µm 終端過濾 + 在線 TOC 監(jiān)測(cè)集成到 0.25 m2 占地,出水電阻率 18.2 MΩ·cm @ 25 °C,TOC ≤ 3 ppb,Particle ≤ 1 pc/L (≥0.2 µm),廣泛用于半導(dǎo)體 7 nm、OLED 蒸鍍、鈣鈦礦電池、精密洗槽補(bǔ)液潔凈循環(huán)純水站

? 核心賣點(diǎn)

  • 18.2 MΩ·cm 穩(wěn)定RO + 混床 + 精混床三級(jí),電阻率漂移 < 0.1 MΩ·cm / 24 h
  • 在線 TOC ≤ 3 ppb185 nm UV 氧化 + 電導(dǎo)池檢測(cè)無需額外取瓶
  • 0.1 µm 終端PES 折疊囊式,Particle ≤ 1 pc/L (≥0.2 µm),終端死體積 < 30 mL
  • 高精度控制流量 0.6 – 6 L/min 任意設(shè)定,PID 變頻恒壓壓力波動(dòng) < ±0.01 MPa
  • 高操作性7 寸觸控 + 一鍵排空 / 一鍵消毒 / 一鍵校準(zhǔn),30 s 完成換柱
  • 24 h 連續(xù)內(nèi)循環(huán)旁路停機(jī) 7 天再啟動(dòng) 5 min 即達(dá) 18 MΩ·cm
  • 占地 0.25 m2600 × 420 × 580 mm,可放桌面或 19" 機(jī)架

?? 技術(shù)參數(shù)(KCP-4006LK)

表格
復(fù)制
項(xiàng)目參數(shù)
產(chǎn)水水質(zhì)電阻率 18.2 MΩ·cm @ 25 °C,TOC ≤ 3 ppb,Particle ≤ 1 pc/L (≥0.2 µm)
產(chǎn)水量6 L/min(MAX),0.6 – 6 L/min 變頻調(diào)節(jié)
給水要求城市自來水 / RO 水電導(dǎo)率 < 200 μS/cm,壓力 0.1 – 0.4 MPa
預(yù)處理10" PP + 活性炭 + 1 µm 保安過濾器
RO 單元2540 卷式,脫鹽率 > 98 %,回收率 50 %
離子交換混床 + 精混床(核級(jí)樹脂),裝填量 2.5 L + 1 L
UV-TOC185 nm + 254 nm 雙波長(zhǎng),在線 TOC 監(jiān)測(cè)
終端過濾0.1 µm PES 折疊囊式(POD)死體積 < 30 mL
在線監(jiān)測(cè)電阻率 + TOC + 溫度 + 流量 + 壓力,1 s 記錄
控制方式7 寸彩色觸控 + PLC,配方 50 組
數(shù)據(jù)接口USB-A + RS-485(Modbus RTU)+ 以太網(wǎng)(TCP/IP)
消毒功能一鍵化學(xué)消毒(0.1 % NaOH)+ 熱水消毒 80 °C
排空功能一鍵排空管路,換柱 30 s 完成
電源AC 100-240 V 50/60 Hz,400 W
尺寸 / 重量600 × 420 × 580 mm / 45 kg
環(huán)境0 – 40 °C,< 80 % RH(無冷凝)

?? 典型使用場(chǎng)景

  • 超聲波清洗槽補(bǔ)液6 L/min 在線循環(huán),電阻率 ≥18 MΩ·cm,Particle < 1 pc/L
  • CMP 后沖洗恒壓 0.2 MPa,TOC ≤ 3 ppb,無金屬污染
  • OLED 蒸鍍掩模清洗最后一道漂洗,無水印、無顆粒
  • 鈣鈦礦電池制備空穴傳輸層旋涂前沖洗,TOC < 5 ppb
  • 實(shí)驗(yàn)室玻璃器皿最后漂洗18.2 MΩ·cm 即取即用



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